Lithography Machine Mask Aligner Photo-Etching Machine

Հստակեցում

1. Լուսավորման տարածք՝ 110 մմ × 110 մմ;
2. Էքսպոզիցիոն ալիքի երկարություն՝ 365նմ;
3. Բանաձևը՝ ≤ 1մ;
4. Հավասարեցման ճշգրտություն՝ 0,8մ;
5. Հավասարեցման համակարգի սկանավորման աղյուսակի շարժման միջակայքը պետք է առնվազն համապատասխանի` Y` 10 մմ;
6. Հավասարեցման համակարգի ձախ և աջ լուսային խողովակները կարող են առանձին շարժվել X, y և Z ուղղություններով, X ուղղությամբ՝ ± 5 մմ, Y ուղղությամբ՝ ± 5 մմ և Z ուղղությամբ՝ ± 5 մմ;
7. Դիմակի չափսը՝ 2,5 դյույմ, 3 դյույմ, 4 դյույմ, 5 դյույմ;
8. Նմուշի չափը՝ հատված, 2 ", 3", 4 ";
9. ★ Հարմար է նմուշի հաստության համար՝ 0.5-6 մմ, և կարող է առավելագույնը աջակցել 20 մմ նմուշի կտորներին (հարմարեցված);
10. Էքսպոզիցիոն ռեժիմ՝ ժամանակացույց (հաշվարկի ռեժիմ);
11. Լուսավորության ոչ միատեսակությունը՝ ＜ 2,5%;
12. Կրկնակի դաշտային CCD հավասարեցման մանրադիտակ՝ խոշորացման ոսպնյակ (1-5 անգամ) + մանրադիտակի օբյեկտիվ ոսպնյակ;
13. Նմուշի նկատմամբ դիմակի շարժման շարանը պետք է առնվազն համապատասխանի` X: 5 մմ; Y: 5 մմ; : 6º;
14. ★ Էներգիայի ազդեցության խտությունը՝ > 30 ՄՎտ / սմ2,
15. ★ Հավասարեցման դիրքը և ազդեցության դիրքը գործում են երկու կայաններում, և երկու կայանների սերվո շարժիչը ավտոմատ կերպով անջատվում է.
16. Կոնտակտային ճնշման մակարդակը ապահովում է կրկնելիությունը սենսորի միջոցով;
17. ★ Հավասարեցման բացը և բացահայտման բացը կարող են սահմանվել թվային եղանակով;
18. ★ Այն ունի nano imprint ինտերֆեյս և proximity ինտերֆեյս;
19. ★ Սենսորային էկրանի գործարկում;
20. Ընդհանուր չափս՝ մոտ 1400 մմ (երկարություն) 900 մմ (լայնություն) 1500 մմ (բարձրություն):